NXP今日宣布扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFN1006B-3 (SOT883B)的晶体管产品阵容。目前，恩智浦提供60款双极性晶体管(BJT)和12款小信号单N/P沟道MOSFET产品，均采用 1-mm x 0.6-mm x0.37-mm DFN塑料SMD封装——是业界提供最小晶体管封装(DFN1006)最丰富的产品组合。
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Vishay推出采用SlimSMA DO-221AC封装的新系列表面贴装TransZorb 瞬态电压抑制器(TVS)--- SMA6F系列。该系列器件的高度只有0.95mm，在10/1000μs条件下的浪涌性能高达600W，8/20μs条件下的浪涌性能达到4kW，还具有优异的钳位能力。
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挪威，奥斯陆，20 ／6 / 2012-节能微控器和无线射频供应商Energy Micro宣布其EFM32 Tiny Gecko 系列将推出以BGA48为封装的新产品。这些BGA48封装的产品非常薄，间距也很细。
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全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出采用坚固耐用TO-220 fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。
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罗姆MOSFETSCH2080KESiC－SBDSiC－MOSFET
罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。
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Invensas推出了焊孔阵列 (BVA) 技术。BVA 是替代宽幅输入/输出硅通孔 (TSV) 的超高速输入/输出封装方案，既能够提供手机原始设备制造商所需的技能，又保留了传统元件堆叠封装 (PoP) 成熟的技术设施和商业模式。
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IR推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
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Vishay推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向恢复电压和75ns的快速反向恢复时间集于一身。
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内首款采用小尺寸57mm x 60mm封装的功率厚膜电阻--- LPS1100，可在散热器温度为+25℃的条件下提供1100W的额定功率。LPS1100具有高温降额性能和很宽的阻值范围。
>>详情功率、安全性、可靠性和性能差异化半导体解决方案的领先供货商美高森美公司(Microsemi Corporation，纳斯达克代号：MSCC) 今天宣布，今天宣布，该公司的耐辐射型(radiation tolerant) RT ProASIC®3 FPGA产品系列现可以陶瓷四方扁平封装(CQFP)形式供货。CQFP封装符合经过时间考验与飞行验证的电路板和组装技术要求。此外，陶瓷可耐受极端的操作温度，使其成为要求严苛的航空航天应用理想材料。
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