Invensas推出了焊孔阵列 (BVA) 技术。BVA 是替代宽幅输入/输出硅通孔 (TSV) 的超高速输入/输出封装方案，既能够提供手机原始设备制造商所需的技能，又保留了传统元件堆叠封装 (PoP) 成熟的技术设施和商业模式。
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IR推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFET MOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。
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Vishay推出新款采用DO-214AC封装的高压、超快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。该器件将1.98mm的低外形、1300V的极高反向恢复电压和75ns的快速反向恢复时间集于一身。
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内首款采用小尺寸57mm x 60mm封装的功率厚膜电阻--- LPS1100，可在散热器温度为+25℃的条件下提供1100W的额定功率。LPS1100具有高温降额性能和很宽的阻值范围。
>>详情功率、安全性、可靠性和性能差异化半导体解决方案的领先供货商美高森美公司(Microsemi Corporation，纳斯达克代号：MSCC) 今天宣布，今天宣布，该公司的耐辐射型(radiation tolerant) RT ProASIC®3 FPGA产品系列现可以陶瓷四方扁平封装(CQFP)形式供货。CQFP封装符合经过时间考验与飞行验证的电路板和组装技术要求。此外，陶瓷可耐受极端的操作温度，使其成为要求严苛的航空航天应用理想材料。
>>详情全球领先的高级半导体和解决方案的供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组成电源转换电路。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功率半导体产品系列。
>>详情碳化硅（SiC）功率器件的市场领先者科锐公司（Nasdaq: CREE）日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下，该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。
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横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商及全球第一大消费电子和便携式设备MEMS（微机电系统）传感器供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出两款采用2x2mm微型封装，拥有超低功耗及高性能的三轴加速度计芯片。
>>详情世界著名LED专业企业首尔半导体推出板上芯片直装式（COB）直流（DC）LED封装ZC系列。该系列基于高亮度及大功率照明光源的首尔半导体Z-Power LED封装研发而成，能够降低热阻，从而显著延长LED照明的使用寿命。此外，该系列还能帮助制造商便捷安装并设计出具有竞争力的产品。
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恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日发布业内首款采用2-mm x 2-mm 3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封装，是恩智浦中功率晶体管家族中的首位小型晶体管成员。
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面积只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低电容和低泄漏电流的特性可以保护高速信号线免受瞬态电压信号的损害。
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