IRSOT－23－5L高精密封装IRS44273L低侧栅极驱动IC
IR推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC，能够有效提供高驱动能力。
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ST推出首款采用全新封装技术的MDmesh V超结MOSFET晶体管，新封装技术可提高白色家电、电视、个人电脑、电信设备和服务器开关电源等设备的功率电路能效。
>>详情英飞凌科技股份公司推出了针对要求最高精度、最低能耗和最小空间的汽车和工业应用的霍尔传感器。全新TLE496x传感器提供全球最小的霍尔传感器封装（SOT23）。
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飞兆半导体的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装，有助于克服这些严峻的设计挑战。
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NXP推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平无引脚）封装。15种采用无引脚、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封装的全新产品即将上市，它们的集电极电压(VCEO)为30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。
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三菱电机公司宣布，将推出转换器类型的，超小型双列直插式封装智能功率模块（DIPIPM），该智能功率模块（DIPIPM）主要用于冰箱和其他消费类电子产品的，小容量电机的，逆变器驱动系统。该模块采用金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）开关装置，具有低电流区域的低电压上电的特性。 该产品具有优化的低损失驱动IC，和先进的小型化，及高散热设计，将有助于降低小容量电机驱动的功耗，和降低逆变器系统的成本，将于3月1日开始销售
>>详情中国，北京－Analog Devices, Inc. (ADI)，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，最近推出了AD5689R 数模转换器。该16位双通道nanoDAC+延续了ADI nanoDAC系列产品的一贯风格，采用更小的封装为用户提供出色的性能。该器件的相对精度为±2 LSB INL、基准电压源为2 ppm/℃ 2.5 V，采用节省空间的封装方式，让模拟系统设计师们在更多应用设计中无需以牺牲性能的代价来换取尺寸。
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VishaySMC DO－214AB封装TRANSZORB双向瞬态电压抑制器SMC3K
Vishay 推出采用SMC DO-214AB封装的新系列表面贴装TRANSZORB双向瞬态电压抑制器(TVS)--- SMC3K。该系列器件在10/1000μs下的浪涌能力达到3kW，可用于汽车和电信应用。
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VishaySMC DO－214AB封装PAR瞬态电压抑制器5KASMC
Vishay推出采用SMC DO-214AB封装的新系列表面贴装PAR瞬态电压抑制器(TVS)----5KASMC。该系列器件可用于汽车和电信应用，在10/1000μs条件下具有5kW的高浪涌能力，工作结温范围-65℃～+185℃。
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FairchildDual Cool封装技术PowerTrenchMOSFET
Fairchild 全新的中压PowerTrench MOSFET采用Dual Cool封装技术，非常适合解决这些设计难题。
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Vishay新款45V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器
宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有高电流密度的新款45V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器－VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面贴装SlimSMA DO－221AC封装，正向电流为3A和5A。
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Vishay最小芯片级MICRO FOOT封装SiliconixMOSFET
Vishay推出采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。
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富士通半导体小封装超低功耗16Kb FRAMMB85RC16
富士通半导体宣布其低功耗铁电随机存取存储器FRAM又添小封装成员－SON-8封装的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供标准封装SOP-8,SON-8是为该产品添加的新型封装
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