Diodes300mA额定值低压差稳压器微型DFN1010－4封装AP7341
Diodes公司推出300mA额定值的低压差稳压器并采用微型DFN1010-4封装的AP7341。这款器件的占位面积仅1.0mm x 1.0mm，高度仅为0.4 mm，有助于智能手机、媒体播放器和袖珍相机等便携式产品内的高密度电路设计。
>>详情
Linear推出 400mA、40V 降压型开关稳压器 LT3668，该器件具备双跟踪LDO输出，采用 MSOP-16E封装。LT3668 提供了一款完整和坚固的电源解决方案，适用于要求传感器电源紧密地跟踪测量ASIC电源的应用。
>>详情
LittelfuseSL1010A气体放电管三端表面封装型器件
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出了SL1010A系列气体放电管（GDT）。这种小尺寸三端表面封装型器件可保护广泛的通讯设备免受通常由雷击干扰引起的快升瞬态电压的损害。 SL1010A系列GDT能在8/20µs环境下耐受5kA的雷击浪涌电流。
>>详情
Vishay推出27个采用小尺寸、低高度SMPC (TO-277A) eSMP系列封装的新型4A～10A FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器。
>>详情
Vishay推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A，尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%，但效率更高出3%，最高可达95%。
>>详情
英飞凌科技CoolMOSTMMOSFET无管脚SMD表面贴装封装ThinPAK 5x6
英飞凌科技股份公司今日推出全新的CoolMOSTMMOSFET无管脚SMD（表面贴装）封装：ThinPAK 5x6。
>>详情
ST新推出两款极具价格竞争力、封装尺寸精巧的微控制器。20 MIPS的处理性能和专门为车身控制模块和驾乘舒适性优化的外设接口是新产品主要特色。
>>详情
Vishay热增强型SC－70封装150V N沟道MOSFETSiA446DJ
Vishay宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。
>>详情
NXPPMEG45U10EPDPMEG45A10EPDCFP15SOT1289肖特基势垒整流器
NXP推出首批采用全新CFP15 (SOT1289)封装的10 A、45 V肖特基势垒整流器PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD。
>>详情电机控制变频器及高性能电源系统等工业应用的系统设计工程师，一直寻求在单 IC 封装中高度集成栅极驱动和保护特性，以简化设计并提高效率。
>>详情
Vishay热增强PowerPAK SC－70封装双片N沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
>>详情
电机控制变频器及高性能电源系统等工业应用的系统设计工程师，一直寻求在单 IC 封装中高度集成栅极驱动和保护特性，以简化设计并提高效率。新研发的FOD8332 是高级 2.5 A 输出电流 IGBT/MOSFET 驱动光电耦合器该器件的绝缘工作电压额定值 (VIORM) 为 1414 V，比竞争产品高 13%，允许器件直接驱动 1200 V IGBT。
>>详情
在微信里搜索“Chinaecnet”或
在手机上扫描二维码
添加中电网微信账号
