ST新推出两款极具价格竞争力、封装尺寸精巧的微控制器。20 MIPS的处理性能和专门为车身控制模块和驾乘舒适性优化的外设接口是新产品主要特色。
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Vishay热增强型SC－70封装150V N沟道MOSFETSiA446DJ
Vishay宣布，推出业界首款采用小尺寸、热增强型SC-70 封装的150V N沟道MOSFET---SiA446DJ。
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NXPPMEG45U10EPDPMEG45A10EPDCFP15SOT1289肖特基势垒整流器
NXP推出首批采用全新CFP15 (SOT1289)封装的10 A、45 V肖特基势垒整流器PMEG45U10EPD和PMEG45A10EPD。
>>详情电机控制变频器及高性能电源系统等工业应用的系统设计工程师，一直寻求在单 IC 封装中高度集成栅极驱动和保护特性，以简化设计并提高效率。
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Vishay热增强PowerPAK SC－70封装双片N沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
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电机控制变频器及高性能电源系统等工业应用的系统设计工程师，一直寻求在单 IC 封装中高度集成栅极驱动和保护特性，以简化设计并提高效率。新研发的FOD8332 是高级 2.5 A 输出电流 IGBT/MOSFET 驱动光电耦合器该器件的绝缘工作电压额定值 (VIORM) 为 1414 V，比竞争产品高 13%，允许器件直接驱动 1200 V IGBT。
>>详情恩智浦半导体今日推出首款采用5 mm x 6 mm x 1 mm超薄LFPAK56 (SOT669) SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60 V和100 V低饱和晶体管构成，集极电流最高为3 A (IC)，峰值集极电流(ICM)最高为8 A
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VishayPowerPAIR 3mm x 3mm封装TrenchFET Gen IVSiZ340DT非对称
Vishay发布采用PowerPAIR 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT。
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Molex公司最近推出在单一模块化封装中结合高速度和高密度的Impact 100-Ohm背板连接器产品，设计用于高速应用。
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Vishay推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
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Vishay 推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。
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VishayPowerPAK ChipFETPowerPAK 1212－8S封装
Vishay推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。
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