Power Integrations今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
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意法半导体，ACEPACK1 DMT－32系列，车规碳化硅(SiC)功率模块
2023-10-30 14:20:29意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块，新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装，目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统，产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等，提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置，增强了系统设计灵活性。
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ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用（例如数据服务器和交流适配器）内的主电源。
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
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东芝， 2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块， MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:34:24东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
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英飞凌， 1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET， 碳化硅（SiC）MOSFET
2023-07-03 11:36:07英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。
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纳微半导体宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二极管，可有效满足数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费电子等要求严格的应用需求。
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Microchip， 碳化硅， E－Fuse演示板， 电动汽车
2023-05-11 10:28:57电池电动汽车（BEV）和混合动力汽车（HEV）的高压电气子系统需要具备一种保护机制，在过载情况下保护高压配电和负载。为了向BEV和HEV设计人员提供更快、更可靠的高压电路保护解决方案，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出碳化硅（SiC）电子保险丝（E-Fuse）演示板。该器件有6种型号，适用于400 - 800V电池系统，额定电流最高可达30安培。
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Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。
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Diodes 公司 (Diodes)推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。
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贸泽电子即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。
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Power Integrations，900V氮化镓反激式开关IC
2023-03-21 10:27:03Power Integrations今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术，可提供高达100W的功率，效率超过93%，因而无需散热片，并可简化空间受限型应用的电源设计。
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Diodes 公司今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。
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安森美今天宣布推出三款基于碳化硅 (以下简称”SiC”) 的功率模块，采用压铸模技术，用于所有类型电动汽车 (以下简称“xEV”) 的车载充电和高压 (以下简称“HV”) DCDC转换。APM32系列是把SiC技术和压铸模封装相结合的行业首创产品，可提高能效并缩短xEV的充电时间，专用于11 kW到22 kW的大功率车载充电器 (以下简称“OBC”)。
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长期以来，游戏笔记本电脑的电源适配器一直“又大又笨重”。好消息是，随着氮化镓技术的普及，市面上正在迎来越来越多更加紧凑轻便的替代产品。
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