意法半导体,200W和500W器件,氮化镓(GaN)电桥芯片
2023-12-15 13:57:59意法半导体的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化镓系列产品推出了下一代集成化氮化镓(GaN)电桥芯片,利用宽禁带半导体技术简化电源设计,实现最新的生态设计目标。
>>详情德州仪器 (TI)今日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系统效率,同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器,能解决常见的散热设计问题,既能让适配器保持凉爽,又能在更小的尺寸中提供更高功率。
>>详情Transphorm, Inc.近日宣布,推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可靠性——而市场上主流的代工e-mode氮化镓则缺乏这样的可靠性。
>>详情Power Integrations今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能,并且提供丰富的开关选项,包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。
>>详情意法半导体,ACEPACK1 DMT-32系列,车规碳化硅(SiC)功率模块
2023-10-30 14:20:29意法半导体发布了ACEPACK1 DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统设计灵活性。
>>详情ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用(例如数据服务器和交流适配器)内的主电源。
>>详情东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量出货。
>>详情东芝, 2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块, MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:34:24东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。
>>详情英飞凌, 1200 V CoolSiC 沟槽式MOSFET, 碳化硅(SiC)MOSFET
2023-07-03 11:36:07英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能够实现双向充电功能,并显著降低了车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。
>>详情纳微半导体宣布推出第五代高速GeneSiC碳化硅(SiC)功率二极管,可有效满足数据中心、工业电机驱动、太阳能和消费电子等要求严格的应用需求。
>>详情Microchip, 碳化硅, E-Fuse演示板, 电动汽车
2023-05-11 10:28:57电池电动汽车(BEV)和混合动力汽车(HEV)的高压电气子系统需要具备一种保护机制,在过载情况下保护高压配电和负载。为了向BEV和HEV设计人员提供更快、更可靠的高压电路保护解决方案,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出碳化硅(SiC)电子保险丝(E-Fuse)演示板。该器件有6种型号,适用于400 - 800V电池系统,额定电流最高可达30安培。
>>详情Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。
>>详情Diodes 公司 (Diodes)推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用,对更高效率与更高功率密度的需求。
>>详情贸泽电子即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM),以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化,可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。
>>详情Power Integrations,900V氮化镓反激式开关IC
2023-03-21 10:27:03Power Integrations今日宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。新IC采用该公司特有的PowiGaN™技术,可提供高达100W的功率,效率超过93%,因而无需散热片,并可简化空间受限型应用的电源设计。
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